Name: NVE4153NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVE4153NT1GOSTR-ND
Price: 0.854 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NVE4153NT1G
Codice DigiKey	NVE4153NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVE4153NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVE4153NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVE4153NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) A montaggio superficiale SC-89-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.82 nC @ 4.5 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±6V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 110 pF @ 16 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 300mW (Tj)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 915mA (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore del fornitore SC-89-3
RDSon (max) a Id, Vgs 230mohm a 600mA, 4,5V	Contenitore/involucro SC-89, SOT-490
Vgs(th) max a Id 1,1V a 250µA	Codice componente base NVE4153