Name: NTZS3151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZS3151PT1GOSTR-ND
Price: 0.4148 EUR
Availability: InStock

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NTZS3151PT1G
Codice DigiKey	NTZS3151PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTZS3151PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTZS3151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTZS3151PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	860mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	150mohm a 950mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	458 pF @ 16 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	170mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-563
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Codice componente base	NTZS3151

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Nastrato in bobina (TR)