Name: NTZS3151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZS3151PT1GOSTR-ND
Price: 0.4392 EUR
Availability: InStock

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NTZS3151PT1G
Codice DigiKey	NTZS3151PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTZS3151PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTZS3151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTZS3151PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.6 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 458 pF @ 16 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 170mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 860mA (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-563
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 950mA, 4,5V	Codice componente base NTZS3151