Name: NTZD5110NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZD5110NT1GOSTR-ND
Price: 0.427 EUR
Availability: InStock

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NTZD5110NT1G
Codice DigiKey	NTZD5110NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTZD5110NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTZD5110NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTZD5110NT1G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 294mA 250mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTZD5110NT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	294mA
RDSon (max) a Id, Vgs	1,6ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,7nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	24,5pF a 20V
Potenza - Max	250mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	SOT-563
Codice componente base	NTZD5110

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Nastrato in bobina (TR)