Name: TPH2R70AR5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R70AR5LQTR-ND
Price: 1.6348 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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TPH2R70AR5,LQ
Codice DigiKey	264-TPH2R70AR5LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPH2R70AR5LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPH2R70AR5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH2R70AR5,LQ
Descrizione	N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 22A (Ta), 190A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	22A (Ta), 190A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	8V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,7mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5400 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 210W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOP Advance (5x5,75)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

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