Name: NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGTR-ND
Price: 2.562 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Codice DigiKey	488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Descrizione	MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 107 A (Tc) 102W (Tc) A montaggio superficiale 9-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,1V a 115µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2520 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 102W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 107 A (Tc)	Contenitore del fornitore 9-WDFN (3,3x3,3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 9-PowerUDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 3,6mohm a 23A, 10V