NTMFSCH1D4N08XTWG onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

Nuovo prodotto

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NTMFSCH1D4N08XTWG
Codice DigiKey	488-NTMFSCH1D4N08XTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFSCH1D4N08XTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFSCH1D4N08XTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFSCH1D4N08XTWG
Descrizione	MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 263A (Tc) 208W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	DUAL COOL®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	263A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,6V a 348µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6303 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-DFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	NTMFSCH