Name: NTTFS115P10M5
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS115P10M5TR-ND
Price: 1.6348 EUR
Availability: OutOfStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NTTFS115P10M5
Codice DigiKey	488-NTTFS115P10M5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTTFS115P10M5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTTFS115P10M5DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTTFS115P10M5
Descrizione	MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 2A (Ta), 13A (Tc) 900mW (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 45µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.2 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 637 pF @ 50 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta), 41W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2A (Ta), 13A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-WDFN (3,3x3,3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 120mohm a 2,4A, 10V	Codice componente base NTTFS1