
NTTFS115P10M5 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 488-NTTFS115P10M5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTTFS115P10M5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTTFS115P10M5DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTTFS115P10M5 |
Descrizione | MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 2A (Ta), 13A (Tc) 900mW (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 120mohm a 2,4A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 45µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 9.2 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 637 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta), 41W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-WDFN (3,3x3,3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,28000 | € 1,28 |
| 10 | € 0,80800 | € 8,08 |
| 100 | € 0,53690 | € 53,69 |
| 500 | € 0,42074 | € 210,37 |
| 1 000 | € 0,38335 | € 383,35 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,33588 | € 1 007,64 |
| 6 000 | € 0,31199 | € 1 871,94 |
| 9 000 | € 0,29982 | € 2 698,38 |
| 15 000 | € 0,29916 | € 4 487,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,28000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,56160 |




