Name: NTS2101PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTS2101PT1GOSTR-ND
Price: 0.5734 EUR
Availability: InStock

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NTS2101PT1G
Codice DigiKey	NTS2101PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTS2101PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTS2101PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTS2101PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 8 V 1,4 A (Ta) 290mW (Ta) A montaggio superficiale SC-70-3 (SOT323)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTS2101PT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	8 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 1A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	640 pF @ 8 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	290mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-70-3 (SOT323)
Contenitore/involucro	SC-70, SOT-323
Codice componente base	NTS2101

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Nastrato in bobina (TR)