Name: NTMYS021N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NTMYS021N06CLTWGOSTR-ND
Price: 2.0008 EUR
Availability: InStock

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NTMYS021N06CLTWG
Codice DigiKey	NTMYS021N06CLTWGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMYS021N06CLTWGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMYS021N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMYS021N06CLTWG
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 9,8 A (Ta), 27 A (Tc) 3,8W (Ta), 28W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK4 (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 16µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 410 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 28W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,8 A (Ta), 27 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK4 (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-1023, 4-LFPAK
RDSon (max) a Id, Vgs 21mohm a 10A, 10V	Codice componente base NTMYS021

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NP33N06YDG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	2 280	NP33N06YDG-E1-AYCT-ND	€ 2,12000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,41764	€ 1 252,92
6 000	€ 0,38944	€ 2 336,64

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,00080

NTMYS021N06CLTWG