Name: NP33N06YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: NP33N06YDG-E1-AYTR-ND
Price: 2.5864 EUR
Availability: InStock

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NP33N06YDG-E1-AY
Codice DigiKey	NP33N06YDG-E1-AYTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NP33N06YDG-E1-AYCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NP33N06YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	NP33N06YDG-E1-AY
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 33 A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSON
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NP33N06YDG-E1-AY Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 78 nC @ 10 V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 97W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Contenitore del fornitore 8-HSON
RDSon (max) a Id, Vgs 14mohm a 16,5A, 10V	Contenitore/involucro 8-SMD, tampone esposto conduttore piatto
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA	Codice componente base NP33N06

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In magazzino: 2 280

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,12000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,58640

NP33N06YDG-E1-AY