Name: NTMFS5H630NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS5H630NLT1GTR-ND
Price: 2.4522 EUR
Availability: InStock

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NTMFS5H630NLT1G
Codice DigiKey	488-NTMFS5H630NLT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFS5H630NLT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFS5H630NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS5H630NLT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 22A (Ta), 120A (Tc) 3,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMFS5H630NLT1G Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 130µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2540 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 89W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22A (Ta), 120A (Tc)	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
RDSon (max) a Id, Vgs 3,1mohm a 20A, 10V	Codice componente base NTMFS5