Name: BUK9Y4R8-60E,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1503-2-ND
Price: 2.6962 EUR
Availability: InStock

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BUK9Y4R8-60E,115
Codice DigiKey	1727-1503-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-1503-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-1503-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	BUK9Y4R8-60E,115
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 100 A (Tc) 238W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BUK9Y4R8-60E,115 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 5 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±10V
Serie TrenchMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7853 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 238W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK56, Power-SO8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V	Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
RDSon (max) a Id, Vgs 4,1mohm a 25A, 10V	Codice componente base BUK9Y4
Vgs(th) max a Id 2,1V a 1mA