Name: NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND
Price: 3.6966 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMFS4D2N10MDT1G
Codice DigiKey	488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFS4D2N10MDT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFS4D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS4D2N10MDT1G
Descrizione	N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 16,4A (Ta), 113A (Tc) 2,8W (Ta), 132W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 239µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3100 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 132W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16,4A (Ta), 113A (Tc)	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
RDSon (max) a Id, Vgs 4,3mohm a 46A, 10V	Codice componente base NTMFS4

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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