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SISH536DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISH536DN-T1-GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 3,25mohm a 10A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) +16V, -12V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1150 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,93000 | € 0,93 |
| 10 | € 0,58400 | € 5,84 |
| 100 | € 0,38140 | € 38,14 |
| 500 | € 0,29422 | € 147,11 |
| 1 000 | € 0,26615 | € 266,15 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,23049 | € 691,47 |
| 6 000 | € 0,21253 | € 1 275,18 |
| 9 000 | € 0,20338 | € 1 830,42 |
| 15 000 | € 0,19310 | € 2 896,50 |
| 21 000 | € 0,18702 | € 3 927,42 |
| 30 000 | € 0,18111 | € 5 433,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,93000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,13460 |
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