Name: NTHD3100CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHD3100CT1GOSTR-ND
Price: 1.647 EUR
Availability: InStock

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NTHD3100CT1G
Codice DigiKey	NTHD3100CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTHD3100CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTHD3100CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTHD3100CT1G
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 2,9 A, 3,2 A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTHD3100CT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,9 A, 3,2 A
RDSon (max) a Id, Vgs	80mohm a 2,9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2,3nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	165pF a 10V
Potenza - Max	1,1W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore	ChipFET™
Codice componente base	NTHD3100