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SI5513CDC-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI5513CDC-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI5513CDC-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI5513CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI5513CDC-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4 A, 3,7 A 3,1W A montaggio superficiale 1206-8 ChipFET™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 55mohm a 4,4A, 4,5V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 4,2nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 285pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 3,1W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore 1206-8 ChipFET™ |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A, 3,7 A | Codice componente base |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,81000 | € 0,81 |
| 10 | € 0,50000 | € 5,00 |
| 100 | € 0,32440 | € 32,44 |
| 500 | € 0,24876 | € 124,38 |
| 1 000 | € 0,22438 | € 224,38 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,19338 | € 580,14 |
| 6 000 | € 0,17777 | € 1 066,62 |
| 9 000 | € 0,16981 | € 1 528,29 |
| 15 000 | € 0,16088 | € 2 413,20 |
| 21 000 | € 0,15559 | € 3 267,39 |
| 30 000 | € 0,15044 | € 4 513,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,81000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,98820 |
