Name: NTGS5120PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGS5120PT1GOSTR-ND
Price: 0.8174 EUR
Availability: InStock

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NTGS5120PT1G
Codice DigiKey	NTGS5120PT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTGS5120PT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTGS5120PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTGS5120PT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 1,8 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTGS5120PT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	111mohm a 2,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	942 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	600mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	NTGS5120

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)