NTD5862NT4G onsemi | FET, MOSFET singoli

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NTD5862NT4G
Codice DigiKey	NTD5862NT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTD5862NT4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTD5862NT4G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 98 A (Tc) 115W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 82 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6000 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 98 A (Tc)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 5,7mohm a 45A, 10V	Codice componente base NTD5862

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDD86540	onsemi	5 394	FDD86540FSCT-ND	€ 1,70000	Consigliato dal produttore
AOD2606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1477-2-ND	€ 0,64134	Simile
IRLR3636TRLPBF	Infineon Technologies	173	448-IRLR3636TRLPBFCT-ND	€ 2,01000	Simile
TK6R7P06PL,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	21 256	TK6R7P06PLRQCT-ND	€ 1,56000	Simile

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NTD5862NT4G