Name: TK6R7P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6R7P06PLRQTR-ND
Price: 1.9032 EUR
Availability: InStock

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TK6R7P06PL,RQ
Codice DigiKey	TK6R7P06PLRQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TK6R7P06PLRQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TK6R7P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK6R7P06PL,RQ
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 46 A (Tc) 66W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK6R7P06PL,RQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 300µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 26 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1990 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 66W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 46 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base TK6R7P06
RDSon (max) a Id, Vgs 6,7mohm a 23A, 10V