Name: NST65010MW6T1G
Brand: onsemi
SKU: NST65010MW6T1GOSTR-ND
Price: 0.3782 EUR
Availability: InStock

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NST65010MW6T1G
Codice DigiKey	NST65010MW6T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NST65010MW6T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NST65010MW6T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NST65010MW6T1G
Descrizione	TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 PNP (doppio) 65V 100mA 100MHz 380mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NST65010MW6T1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	2 PNP (doppio)
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	65V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	650mV a 5mA, 100mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	15 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	220 a 2mA, 5V
Potenza - Max	380mW
Frequenza - Transizione	100MHz
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Codice componente base	NST65010

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Nastrato in bobina (TR)