MMBTH10-4LT1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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MMBTH10-4LT1G
Codice DigiKey	MMBTH10-4LT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MMBTH10-4LT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MMBTH10-4LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MMBTH10-4LT1G
Descrizione	RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT-23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistore RF NPN 25V 800MHz 225mW A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MMBTH10-4LT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor RF bipolari
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	NPN
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	25V
Frequenza - Transizione	800MHz
Cifra di rumore (dB tip. a f)	-
Guadagno	-
Potenza - Max	225mW
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	120 a 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) max	-
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Codice componente base	MMBTH10

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)