Name: MMBT5550LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT5550LT1GOSTR-ND
Price: 0.1464 EUR
Availability: InStock

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MMBT5550LT1G
Codice DigiKey	MMBT5550LT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MMBT5550LT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MMBT5550LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MMBT5550LT1G
Descrizione	TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 140 V 600 mA 225 mW A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MMBT5550LT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	NPN
Corrente - Collettore (Ic) max	600 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	140 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	250mV a 5mA, 50mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	100nA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	60 a 10mA, 5V
Potenza - Max	225 mW
Frequenza - Transizione	-
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Codice componente base	MMBT5550

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Nastrato in bobina (TR)