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KSH112GTM_SB82051 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
KSH112GTM_SB82051 | |
|---|---|
Codice DigiKey | KSH112GTM_SB82051-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | KSH112GTM_SB82051 |
Descrizione | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 1000 a 2A, 3V |
Produttore | Potenza - Max 1.75 W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 25MHz |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tipo di transistor | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 2 A | Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63 |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 100 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 3V a 40mA, 4A | Codice componente base |
Corrente - Interruzione collettore (max) 20µA |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NJVMJD112T4G | onsemi | 4 867 | 488-NJVMJD112T4GCT-ND | € 1,09000 | Diretto |
| MJD112G | onsemi | 1 097 | MJD112GOS-ND | € 0,88000 | Equivalente parametrico |
| MJD112RLG | onsemi | 10 422 | MJD112RLGOSCT-ND | € 1,42000 | Equivalente parametrico |
| NJVMJD112G | onsemi | 75 | NJVMJD112G-ND | € 0,95000 | Equivalente parametrico |
| MJD112T4 | STMicroelectronics | 7 547 | 497-2462-1-ND | € 0,89000 | Diretto |
Obsoleto
