Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W A montaggio superficiale DPAK
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MJD112G

Codice DigiKey
MJD112GOS-ND
Produttore
onsemi
Codice produttore
MJD112G
Descrizione
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
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Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) max
2 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
100 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
3V a 40mA, 4A
Corrente - Interruzione collettore (max)
20µA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
1000 a 2A, 3V
Potenza - Max
1.75 W
Frequenza - Transizione
25MHz
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore
DPAK
Codice componente base
MJD112
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Tubo
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150€ 0,33973€ 50,96
525€ 0,27880€ 146,37
1 050€ 0,25237€ 264,99
2 025€ 0,23120€ 468,18
5 025€ 0,20707€ 1 040,53
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