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Canale N 30 V 75 A (Tc) 215W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263

ISL9N303AS3ST

Codice DigiKey
ISL9N303AS3ST-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
ISL9N303AS3ST
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 75 A (Tc) 215W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,2mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
172 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7000 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
215W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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