Name: STD155N3LH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-11308-2-ND
Price: 2.3912 EUR
Availability: InStock

Canale N 30 V 80 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)

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STD155N3LH6
Codice DigiKey	497-11308-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-11308-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-11308-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD155N3LH6
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 80 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD155N3LH6 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 5 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3800 pF @ 25 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base STD155
RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 40A, 10V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB80N03S4L03ATMA1	Infineon Technologies	19 412	IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND	€ 1,36833	Simile
NP90N03VHG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	0	NP90N03VHG-E1-AY-ND	€ 0,83396	Simile
PSMN2R7-30BL,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7114-1-ND	€ 2,30000	Simile
PSMN3R4-30BL,118	Nexperia USA Inc.	5	1727-7115-1-ND	€ 2,01000	Simile
PSMN3R4-30BLE,118	Nexperia USA Inc.	170	1727-1102-1-ND	€ 2,77000	Simile

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