FQD9N25TM onsemi | FET, MOSFET singoli

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FQD9N25TM
Codice DigiKey	FQD9N25TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD9N25TM
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 7,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 55W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 700 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 55W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,4 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQD9N25
RDSon (max) a Id, Vgs 420mohm a 3,7A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FQD16N25CTM	onsemi	110 518	FQD16N25CTMCT-ND	€ 40,32000	Consigliato dal produttore
IPD5N25S3430ATMA1	Infineon Technologies	5 414	448-IPD5N25S3430ATMA1CT-ND	€ 44,52000	Simile
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