Name: FQD1N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQD1N80TMTR-ND
Price: 1.7446 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FQD1N80TM
Codice DigiKey	FQD1N80TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD1N80TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD1N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD1N80TM
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.2 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 195 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 45W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQD1N80
RDSon (max) a Id, Vgs 20ohm a 500mA, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FQD2N90TM	onsemi	7 146	FQD2N90TMCT-ND	€ 1,89000	Consigliato dal produttore
STD1NK80ZT4	STMicroelectronics	2 989	497-4751-1-ND	€ 1,50000	Simile
STD7NM80	STMicroelectronics	1 319	497-8807-1-ND	€ 4,11000	Simile