Name: FQD2N90TM
Brand: onsemi
SKU: FQD2N90TMTR-ND
Price: 2.3058 EUR
Availability: InStock

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FQD2N90TM
Codice DigiKey	FQD2N90TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD2N90TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD2N90TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD2N90TM
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 1,7 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 500 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 900 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,7 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQD2N90
RDSon (max) a Id, Vgs 7,2ohm a 850mA, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,50243	€ 1 256,08
5 000	€ 0,46968	€ 2 348,40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,89000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,30580

FQD2N90TM