Name: FQD13N06LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N06LTMTR-ND
Price: 1.1834 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FQD13N06LTM
Codice DigiKey	FQD13N06LTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD13N06LTMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD13N06LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD13N06LTM
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 11 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQD13N06LTM Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	115mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	350 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FQD13N06