Name: FQB34P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB34P10TMTR-ND
Price: 4.392 EUR
Availability: InStock

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FQB34P10TM
Codice DigiKey	FQB34P10TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB34P10TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB34P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB34P10TM
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 33,5 A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQB34P10TM Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2910 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,75W (Ta), 155W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQB34P10
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 16,75A, 10V