


FQB34P10TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQB34P10TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB34P10TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB34P10TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQB34P10TM |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 33,5 A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQB34P10TM Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 60mohm a 16,75A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 110 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2910 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,75W (Ta), 155W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,39000 | € 3,39 |
| 10 | € 2,22300 | € 22,23 |
| 100 | € 1,56070 | € 156,07 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 1,21469 | € 971,75 |
| 1 600 | € 1,13922 | € 1 822,75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,13580 |



