Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 4.392 EUR
Availability: InStock

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IRF5210STRLPBF
Codice DigiKey	IRF5210STRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF5210STRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF5210STRLPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	36 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 38 A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF5210STRLPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 230 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2780 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 170W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 38 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF5210
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 38A, 10V