Name: FQB22P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB22P10TMTR-ND
Price: 3.0378 EUR
Availability: InStock

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FQB22P10TM
Codice DigiKey	FQB22P10TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB22P10TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB22P10TM
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 22 A (Tc) 3,75W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,75W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQB22P10
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 11A, 10V