FQB1P50TM onsemi | FET, MOSFET singoli

FQB1P50TM è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 8 000

Prezzo unitario : € 3,75000

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FQB1P50TM
Codice DigiKey	FQB1P50TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB1P50TM
Descrizione	MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 500 V 1,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 63W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10,5ohm a 750mA, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	350 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,13W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	FQB1P50