Name: FDT1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDT1600N10ALZTR-ND
Price: 1.3054 EUR
Availability: InStock

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FDT1600N10ALZ
Codice DigiKey	FDT1600N10ALZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDT1600N10ALZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDT1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDT1600N10ALZ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 5,6 A (Tc) 10,42W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,8V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.77 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 225 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 10,42W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore SOT-223-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,6 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FDT1600
RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 2,8A, 10V