Name: FDS86267P
Brand: onsemi
SKU: FDS86267PTR-ND
Price: 2.562 EUR
Availability: InStock

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FDS86267P
Codice DigiKey	FDS86267PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS86267PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS86267PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS86267P
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 150 V 2,2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDS86267P Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1130 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,2 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDS86267
RDSon (max) a Id, Vgs 255mohm a 2,2A, 10V