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FDS6930B | |
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Codice DigiKey | FDS6930BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6930BCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6930BDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDS6930B |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 5,5A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 38mohm a 5,5A, 10V |
Produttore onsemi | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,8nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 412pF a 15V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 900mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,5A | Codice componente base |



