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MOSFET - Array 30V 5A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
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MOSFET - Array 30V 5A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
8-TSOP

SH8K12TB1

Codice DigiKey
SH8K12TB1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
SH8K12TB1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 5A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5A
RDSon (max) a Id, Vgs
42mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
250pF a 10V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOP
Codice componente base
SH8K12
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,35092€ 877,30
5 000€ 0,32547€ 1 627,35
7 500€ 0,31251€ 2 343,83
12 500€ 0,30766€ 3 845,75
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,35092
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,42812