MOSFET - Array 30V 6A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC
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MOSFET - Array 30V 6A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview

FDS6912A

Codice DigiKey
FDS6912ATR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FDS6912ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
FDS6912ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDS6912A
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 6A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FDS6912A Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
PowerTrench®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6A
RDSon (max) a Id, Vgs
28mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8,1nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
575pF a 15V
Potenza - Max
900mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
FDS69
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,04000€ 1,04
10€ 0,65300€ 6,53
100€ 0,43020€ 43,02
500€ 0,33426€ 167,13
1 000€ 0,30338€ 303,38
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,26993€ 674,83
5 000€ 0,24926€ 1 246,30
7 500€ 0,23872€ 1 790,40
12 500€ 0,22689€ 2 836,12
17 500€ 0,22553€ 3 946,78
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,04000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,26880
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