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SI4925DDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4925DDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 8A 5W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4925DDY-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 50nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1350pF a 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 5W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 29mohm a 7,3A, 10V |
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In magazzino: 57 303
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,38000 | € 1,38 |
| 10 | € 0,86900 | € 8,69 |
| 100 | € 0,57780 | € 57,78 |
| 500 | € 0,45324 | € 226,62 |
| 1 000 | € 0,41313 | € 413,13 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,36972 | € 924,30 |
| 5 000 | € 0,34289 | € 1 714,45 |
| 7 500 | € 0,32923 | € 2 469,23 |
| 12 500 | € 0,31388 | € 3 923,50 |
| 17 500 | € 0,30479 | € 5 333,82 |
| 25 000 | € 0,30278 | € 7 569,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,38000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,68360 |
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