FDS6612A onsemi | FET, MOSFET singoli

FDS6612A è obsoleto e non è più in produzione.

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FDS6612A
Codice DigiKey	FDS6612ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6612ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6612ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS6612A
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 8,4 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	22mohm a 8,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.6 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	560 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	FDS6612