Name: FDS4935BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4935BZTR-ND
Price: 1.5372 EUR
Availability: InStock

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FDS4935BZ
Codice DigiKey	FDS4935BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS4935BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS4935BZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS4935BZ
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6,9A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDS4935BZ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali P (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,9A
RDSon (max) a Id, Vgs	22mohm a 6,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1360pF a 15V
Potenza - Max	900mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Codice componente base	FDS49