Name: FDS2582
Brand: onsemi
SKU: FDS2582TR-ND
Price: 2.1472 EUR
Availability: InStock

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FDS2582
Codice DigiKey	FDS2582TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS2582CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS2582DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS2582
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 4,1 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1290 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,1 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDS25
RDSon (max) a Id, Vgs 66mohm a 4,1A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PJL9480_R2_00001	Panjit International Inc.	2 165	3757-PJL9480_R2_00001CT-ND	€ 510,37000	Simile
RS6R035BHTB1	Rohm Semiconductor	2 354	846-RS6R035BHTB1CT-ND	€ 1 005,36000	Simile
RS6R060BHTB1	Rohm Semiconductor	4 742	846-RS6R060BHTB1CT-ND	€ 1 349,71000	Simile