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FDP039N08B-F102 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDP039N08B-F102-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FDP039N08B-F102 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 32 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 120 A (Tc) 214W (Tc) Foro passante TO-220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDP039N08B-F102 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 133 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9450 pF @ 40 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Contenitore del fornitore TO-220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 100A, 10V |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 236 | TK65E10N1S1X-ND | € 3,86000 | Simile |
| FDP039N08B-F102 | Rochester Electronics, LLC | 399 | 2156-FDP039N08B-F102ND-ND | € 4,59800 | Equivalente parametrico |
In magazzino: 18
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 7,80000 | € 7,80 |
| 10 | € 5,34700 | € 53,47 |
| 100 | € 3,95650 | € 395,65 |
| 800 | € 3,49585 | € 2 796,68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 7,80000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 9,51600 |
