Name: TK65E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK65E10N1S1X-ND
Price: 4.3432 EUR
Availability: InStock

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TK65E10N1,S1X
Codice DigiKey	TK65E10N1S1X-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK65E10N1,S1X
Descrizione	MOSFET N CH 100V 148A TO220
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 148 A (Ta) 192W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK65E10N1,S1X Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	148 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,8mohm a 32,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5400 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	192W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	TK65E10

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 3,56000	€ 3,56
50	€ 1,82120	€ 91,06
100	€ 1,65300	€ 165,30
500	€ 1,35846	€ 679,23
1 000	€ 1,26856	€ 1 268,56

Contenitore standard del produttore

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