FDN359BN onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDN359BN
Codice DigiKey	FDN359BNOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDN359BNOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDN359BNOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDN359BN
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 2,7 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDN359BN Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	46mohm a 2,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	650 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	FDN359

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