PMV37EN2R Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

Canale N 30 V 4,5 A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB

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PMV37EN2R
Codice DigiKey	1727-2306-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2306-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2306-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV37EN2R
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 4,5 A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMV37EN2R Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.3 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 209 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 510mW (Ta), 5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore TO-236AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 36mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base PMV37

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDN359AN	onsemi	10 573	FDN359ANCT-ND	€ 5,07000	Simile
FDN359BN	onsemi	41 904	FDN359BNOSCT-ND	€ 4,50000	Simile
TSM2306CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	47 199	1801-TSM2306CXRFGCT-ND	€ 6,47000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,37000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,45140

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