FDMB3800N onsemi | Array FET, MOSFET

FDMB3800N è obsoleto e non è più in produzione.

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Renesas Electronics Corporation

In magazzino: 7 826

Prezzo unitario : € 1,61000

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FDMB3800N
Codice DigiKey	FDMB3800NTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMB3800NCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMB3800NDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMB3800N
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 4,8A 750mW A montaggio superficiale 8-MLP, MicroFET (3x1,9)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 4,8A, 10V
Produttore onsemi	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie PowerTrench®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,6nC a 5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 465pF a 15V
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 750mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-MLP, MicroFET (3x1,9)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,8A	Codice componente base FDMB3800