
SI5936DU-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI5936DU-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI5936DU-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI5936DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI5936DU-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 6A 10,4W A montaggio superficiale PowerPAK® ChipFet doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI5936DU-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 30mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 320pF a 15V | |
Potenza - Max | 10,4W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® ChipFET™ doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® ChipFet doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,90000 | € 0,90 |
| 10 | € 0,56200 | € 5,62 |
| 100 | € 0,36770 | € 36,77 |
| 500 | € 0,28384 | € 141,92 |
| 1 000 | € 0,25684 | € 256,84 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,22253 | € 667,59 |
| 6 000 | € 0,20525 | € 1 231,50 |
| 9 000 | € 0,19644 | € 1 767,96 |
| 15 000 | € 0,18655 | € 2 798,25 |
| 21 000 | € 0,18354 | € 3 854,34 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,90000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,09800 |







