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Canale N 500 V 3,7 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

FDD5N50NZFTM

Codice DigiKey
FDD5N50NZFTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
FDD5N50NZFTM
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 3,7 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,75ohm a 1,85A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
485 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
62,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
Codice componente base
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